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DMP3012LPS-13  与  BSC084P03NS3EGATMA1  区别

型号 DMP3012LPS-13 BSC084P03NS3EGATMA1
唯样编号 A36-DMP3012LPS-13 A-BSC084P03NS3EGATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060 MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),69W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.29W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6807 pF @ 15 V 4240pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 139 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.2A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 110uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 57.7nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±25V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 14.9A(Ta),78.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3012LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.29W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 13.2A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
BSC084P03NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3 G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AON6413 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -32A 48W 8.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSC080P03LSGAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080P03LS G_P 通道 8-PowerVDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC084P03NS3EGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3E G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC080P03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080P03LSGAUMA1_±25V 2.5W(Ta),89W(Tc) 8mΩ@30A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8 P-Channel 30V 16A(Ta),30A(Tc)

暂无价格 0 对比

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