制造商编号 | DMP3012LPS-13 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A36-DMP3012LPS-13 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
FET类型 | P-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.29W(Ta) | |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 9mΩ@10A,10V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6807 pF @ 15 V | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 139 nC @ 10 V | |
封装/外壳 | PowerDI5060-8 | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 13.2A(Ta) | |
驱动电压 | 4.5V,10V |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 111,000 |
LN4501LT1G | 45,000 |
LP4101LT1G | 30,200 |
PXN012-60QLJ | 18,390 |
S-LN2306ELT1G | 18,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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DMP3012LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.29W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 13.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSC084P03NS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC084P03NS3 G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AON6413 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -32A 48W 8.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC080P03LSGAUMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC080P03LS G_P 通道 8-PowerVDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC084P03NS3EGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC084P03NS3E G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC080P03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC080P03LSGAUMA1_±25V 2.5W(Ta),89W(Tc) 8mΩ@30A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8 P-Channel 30V 16A(Ta),30A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 |