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DMN6040SSD-13  与  IRF7380PBF  区别

型号 DMN6040SSD-13 IRF7380PBF
唯样编号 A36-DMN6040SSD-13 A-IRF7380PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 4.5 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ 73mΩ@2.2A,10V
上升时间 8.1ns -
Qg-栅极电荷 22.4nC -
栅极电压Vgs 1V -
正向跨导 - 最小值 4.5S -
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 3.6A
配置 Dual -
下降时间 4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 660pF @ 25V
漏源极电压Vds 60V 80V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 2W
典型关闭延迟时间 20.1ns -
FET类型 2N-Channel N-Channel
系列 DMN6040 HEXFET®
通道数量 2Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1287pF @ 25V 660pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V 23nC @ 10V
典型接通延迟时间 6.6ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
库存与单价
库存 82,998 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.232
100+ :  ¥0.9493
1,250+ :  ¥0.8041
2,500+ :  ¥0.682
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
50: ¥1.232
100: ¥0.9493
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