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DMN4800LSSQ-13  与  AO4406AL  区别

型号 DMN4800LSSQ-13 AO4406AL
唯样编号 A36-DMN4800LSSQ-13 A36-AO4406AL
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11.5 mΩ @ 12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.46W(Ta) 3.1W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 14mΩ@9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 798 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.7 nC @ 5 V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.6A(Ta) 13A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
栅极电荷Qg - 17nC @ 10V
库存与单价
库存 1,359 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.606
100+ :  ¥1.232
1,250+ :  ¥1.0483
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4800LSSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,250: ¥1.0483
1,359 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7942 

阶梯数 价格
70: ¥0.7942
200: ¥0.6474
1,500: ¥0.5889
3,000: ¥0.5499
5,385 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
50: ¥3.718
100: ¥3.5264
500: ¥3.2868
1,000: ¥3.1718
2,000: ¥2.9514
2,452 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
48 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
AO4406AL AOS 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比

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