首页 > 商品目录 > > > > DMN4800LSS-13代替型号比较

DMN4800LSS-13  与  IRL6342TRPBF  区别

型号 DMN4800LSS-13 IRL6342TRPBF
唯样编号 A36-DMN4800LSS-13 A-IRL6342TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@9A,10V 14.6mΩ@9.9A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.46W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOP 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.6A 9.9A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 798pF @ 10V 1025pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.47nC @ 5V 11nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1025pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,250 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.0395
100+ :  ¥0.6919
1,250+ :  ¥0.6303
2,500+ :  ¥0.583
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

¥1.0395 

阶梯数 价格
50: ¥1.0395
100: ¥0.6919
1,250: ¥0.6303
2,500: ¥0.583
3,250 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7942 

阶梯数 价格
70: ¥0.7942
200: ¥0.6474
1,500: ¥0.5889
3,000: ¥0.5499
5,385 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF8113 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
SI4410DY Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRL6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售