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DMN4800LSS-13  与  IRF8113  区别

型号 DMN4800LSS-13 IRF8113
唯样编号 A36-DMN4800LSS-13 A-IRF8113
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@9A,10V 5.6mΩ@17.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.46W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOP SO8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.6A 17.2A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 798pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.47nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2910pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,250 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.0395
100+ :  ¥0.6919
1,250+ :  ¥0.6303
2,500+ :  ¥0.583
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

¥1.0395 

阶梯数 价格
50: ¥1.0395
100: ¥0.6919
1,250: ¥0.6303
2,500: ¥0.583
3,250 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7942 

阶梯数 价格
70: ¥0.7942
200: ¥0.6474
1,500: ¥0.5889
3,000: ¥0.5499
5,385 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

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暂无价格 0 对比

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