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DMN3110S-7  与  IRLML2030TRPBF  区别

型号 DMN3110S-7 IRLML2030TRPBF
唯样编号 A36-DMN3110S-7 A33-IRLML2030TRPBF-0
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 100mΩ@2.7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 740mW(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 73mΩ@3.1mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 305.8 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 2.7A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1nC @ 4.5V
库存与单价
库存 4,210 11,500
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6424
200+ :  ¥0.4901
1,500+ :  ¥0.4264
3,000+ :  ¥0.377
120+ :  ¥1.2553
500+ :  ¥1.2362
1,000+ :  ¥1.2362
2,000+ :  ¥1.2362
4,000+ :  ¥1.2266
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.377
4,210 当前型号
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
26,017 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.2553 

阶梯数 价格
120: ¥1.2553
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.2362
2,000: ¥1.2362
4,000: ¥1.2266
11,500 对比
DMN3112S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 5,000 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥5.3039 

阶梯数 价格
1: ¥5.3039
100: ¥3.0073
1,500: ¥1.9066
3,000: ¥1.4204
100 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.0927 

阶梯数 价格
1: ¥1.0927
25: ¥0.9419
100: ¥0.8118
100 对比

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