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DMN3026LVT-7  与  IRFTS8342TRPBF  区别

型号 DMN3026LVT-7 IRFTS8342TRPBF
唯样编号 A36-DMN3026LVT-7 A-IRFTS8342TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 Single N-Channel 30 V 29 mOhm 4.8 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SC-74
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 19mΩ@8.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 23mΩ@6.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 643 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 12.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 TSOT-23-6 6-TSOP
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.6A(Ta) 8.2A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC
库存与单价
库存 1,319 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7205
200+ :  ¥0.5876
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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