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DMN3016LSS-13  与  TPC8031-H(TE12LQM)  区别

型号 DMN3016LSS-13 TPC8031-H(TE12LQM)
唯样编号 A36-DMN3016LSS-13 A-TPC8031-H(TE12LQM)
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) -
产品状态 - 停产
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12A,10V 13.3 毫欧 @ 5.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1415 pF @ 15 V 2150 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2.5V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.1 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SO 8-SOP(5.5x6.0)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.3A(Ta) 11A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
库存与单价
库存 1,535 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.474
100+ :  ¥1.144
1,250+ :  ¥0.9911
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 10.3A(Ta)

¥1.474 

阶梯数 价格
40: ¥1.474
100: ¥1.144
1,250: ¥0.9911
1,535 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.5698
5,188 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
500: ¥2.4627
1,000: ¥2.3861
2,000: ¥2.3286
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
500: ¥2.4627
1,000: ¥2.3861
2,000: ¥2.3286
2,020 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
IRF7807Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 11A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 13.8mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比

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