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DMN2400UFB4-7  与  DMN2400UFB4-7R  区别

型号 DMN2400UFB4-7 DMN2400UFB4-7R
唯样编号 A36-DMN2400UFB4-7 A-DMN2400UFB4-7R
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 550 mO 20 V 0.75 A Surface Mount Enhancement Mode MosFet - DFN-H4 MOSFET N-CH SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@600mA,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 470mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DFN -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 0.75A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 36pF @ 16V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.5nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 470mW(Ta) 550mΩ@600mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) DFN N-Channel 20V 0.75A

暂无价格 0 当前型号
DMN2400UFB4-7B Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

¥0.351 

阶梯数 价格
150: ¥0.351
262 对比
DMN2400UFB4-7R Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
DMN2400UFB4-7B Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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