| 制造商编号 | DMN2400UFB4-7 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-DMN2400UFB4-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
N-Channel 550 mO 20 V 0.75 A Surface Mount Enhancement Mode MosFet - DFN-H4
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 900mV @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.5nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 36pF @ 16V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 470mW(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ@600mA,4.5V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | DFN | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 0.75A |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,000 |
| DMN2005LP4K-7 | 18,000 |
| LSI1012XT1G | 14,600 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DMN2400UFB4-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
DFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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DMN2400UFB4-7B | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥0.3263
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4,262 | 对比 | |||||||
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DMN2400UFB4-7R | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
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DMN2400UFB4-7B | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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