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DMN2058U-13  与  IRLML2502TRPBF  区别

型号 DMN2058U-13 IRLML2502TRPBF
唯样编号 A36-DMN2058U-13 A32-IRLML2502TRPBF-0
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 45mΩ@4.2A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.13W 1.25W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 35mΩ@6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 281 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 7.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.6A(Ta) 4.2A(Ta)
系列 - HEXFET®
驱动电压 1.8V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
库存与单价
库存 8,820 5
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6292
100+ :  ¥0.5122
500+ :  ¥0.4654
2,500+ :  ¥0.4316
5,000+ :  ¥0.4043
1+ :  ¥0.5709
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2058U-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
100: ¥0.5122
500: ¥0.4654
2,500: ¥0.4316
5,000: ¥0.4043
8,820 当前型号
DMN2058U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.4088 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.4088
15,000: ¥0.3785
41,150 对比
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
17,553 对比
DMN2058U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.533 

阶梯数 价格
100: ¥0.533
200: ¥0.3432
1,500: ¥0.2977
2,552 对比
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5709 

阶梯数 价格
1: ¥0.5709
5 对比
DMN2058U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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