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DMN10H099SK3-13  与  IRLR3410TRPBF  区别

型号 DMN10H099SK3-13 IRLR3410TRPBF
唯样编号 A36-DMN10H099SK3-13 A33-IRLR3410TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 80mΩ@3.3A,10V 105mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 34W(Tc) 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1172pF @ 50V 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.2nC @ 10V 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 5V
库存与单价
库存 5,447 1,332
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥2.112
100+ :  ¥1.617
1,250+ :  ¥1.408
2,500+ :  ¥1.331
20+ :  ¥7.6851
50+ :  ¥5.9124
100+ :  ¥5.3183
500+ :  ¥4.9254
1,000+ :  ¥4.8392
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
100: ¥1.617
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.331
5,447 当前型号
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
100: ¥2.013
1,000: ¥1.749
2,000: ¥1.65
10,024 对比
IRFR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 对比
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥7.6851 

阶梯数 价格
20: ¥7.6851
50: ¥5.9124
100: ¥5.3183
500: ¥4.9254
1,000: ¥4.8392
1,332 对比
IRFR3910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥3.223 

阶梯数 价格
20: ¥3.223
100: ¥2.486
587 对比
IRLR3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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