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DMG4822SSD-13  与  IRF7303TRPBF  区别

型号 DMG4822SSD-13 IRF7303TRPBF
唯样编号 A36-DMG4822SSD-13 A36-IRF7303TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ 50mΩ@2.4A,10V
上升时间 7.9ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.42W 2W
Qg-栅极电荷 10.5nC -
栅极电压Vgs 25V -
典型关闭延迟时间 14.6ns -
正向跨导 - 最小值 200mS -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 10A 4.9A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 DMG4822 HEXFET®
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
下降时间 3.1ns -
典型接通延迟时间 2.9ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
库存与单价
库存 1,079 3
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.2
100+ :  ¥1.705
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.2 

阶梯数 价格
30: ¥2.2
100: ¥1.705
1,079 当前型号
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.574 

阶梯数 价格
20: ¥2.574
100: ¥2.046
750: ¥1.837
1,500: ¥1.727
3,000: ¥1.65
3,194 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8712
1,500: ¥0.7579
2,520 对比
IRF7313TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.519 

阶梯数 价格
20: ¥2.519
100: ¥2.013
531 对比
IRF7303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 3 对比
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥3.2745 

阶梯数 价格
490: ¥3.2745
1,000: ¥2.5767
1,500: ¥2.0151
3,000: ¥1.5718
0 对比

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