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DMG4468LFG-7  与  RQ3E100MNTB1  区别

型号 DMG4468LFG-7 RQ3E100MNTB1
唯样编号 A36-DMG4468LFG-7 A-RQ3E100MNTB1
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.8mΩ
上升时间 - 17ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 990mW(Ta) 2W
Qg-栅极电荷 - 9.9nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 15mΩ@11.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 867 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±20V 2.5V
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18.85 nC @ 10 V -
封装/外壳 U-DFN3030-8 HSMT-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 7.62A(Ta) 10A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压 4.5V,10V -
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 7ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4468LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 990mW(Ta) ±20V U-DFN3030-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 7.62A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
IRFHM8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
IRFHM8337TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel

暂无价格 0 对比
DMG4468LFG Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 990mW(Ta) ±20V U-DFN3030-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 7.62A(Ta)

暂无价格 0 对比

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