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DMG3418L-7  与  FDN335N  区别

型号 DMG3418L-7 FDN335N
唯样编号 A36-DMG3418L-7 A36-FDN335N
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@4A,10V 70 毫欧 @ 1.7A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 500mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 1.7A(Ta)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 464.3pF @ 15V 310pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 310pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 28,440 9,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5395
200+ :  ¥0.3484
1,500+ :  ¥0.3029
3,000+ :  ¥0.2678
40+ :  ¥1.639
100+ :  ¥1.265
750+ :  ¥1.0549
1,500+ :  ¥0.9592
3,000+ :  ¥0.88
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 当前型号
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
15,477 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
13,743 对比
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.265
750: ¥1.0549
1,500: ¥0.9592
3,000: ¥0.88
9,000 对比
FDN337N ON Semiconductor 功率MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.9966 

阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
8,565 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
6,588 对比

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