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BSS214NH6327XTSA1  与  ZXMN2A01FTA  区别

型号 BSS214NH6327XTSA1 ZXMN2A01FTA
唯样编号 A36-BSS214NH6327XTSA1 A36-ZXMN2A01FTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 625mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 120mΩ@4A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 143pF @ 10V 303 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 3 nC @ 4.5 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 3.7uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 1.9A(Ta)
驱动电压 - 2.5V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
漏源电压(Vdss) 20V -
库存与单价
库存 23,953 3,066
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7084
200+ :  ¥0.5408
1,500+ :  ¥0.4706
3,000+ :  ¥0.416
50+ :  ¥1.0329
200+ :  ¥0.7117
1,500+ :  ¥0.6479
3,000+ :  ¥0.605
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS214NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS214N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
23,953 当前型号
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 75,000 对比
BSH105,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH105_SOT23

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
6,427 对比
ZXMN2A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.0329 

阶梯数 价格
50: ¥1.0329
200: ¥0.7117
1,500: ¥0.6479
3,000: ¥0.605
3,066 对比
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.5733
1,447 对比
XP151A12A2MR-G Torex Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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