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BSS214NH6327XTSA1  与  BSH105,215  区别

型号 BSS214NH6327XTSA1 BSH105,215
唯样编号 A36-BSS214NH6327XTSA1 A36-BSH105,215
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 N-Channel 20 V 200 mO 417 mW Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 0.17W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 143pF @ 10V -
输出电容 - 71pF
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT23
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 3.7uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 1.05A
输入电容 - 152pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
漏源电压(Vdss) 20V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 200mΩ@600mA,4.5V
库存与单价
库存 23,953 6,427
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7084
200+ :  ¥0.5408
1,500+ :  ¥0.4706
3,000+ :  ¥0.416
60+ :  ¥0.8492
200+ :  ¥0.5852
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS214NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS214N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
23,953 当前型号
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BSH105,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH105_SOT23

¥0.8492 

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60: ¥0.8492
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¥1.0329 

阶梯数 价格
50: ¥1.0329
200: ¥0.7117
1,500: ¥0.6479
3,000: ¥0.605
3,066 对比
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.5733
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XP151A12A2MR-G Torex Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

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暂无价格 0 对比

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