首页 > 商品目录 > > > > BSS138LT1G代替型号比较

BSS138LT1G  与  BSS138NH6327XTSA2  区别

型号 BSS138LT1G BSS138NH6327XTSA2
唯样编号 A36-BSS138LT1G A36-BSS138NH6327XTSA2
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm -
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
正向跨导-最小值 0.1 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω@200mA,5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 41pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.2A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 10V
配置 Single -
长度 2.9 mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
高度 0.94 mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 50V -
Pd-功率耗散(Max) 225mW(Ta) -
典型关闭延迟时间 20 ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 26uA
系列 BSS -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 75,623 24,457
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5473
200+ :  ¥0.3523
1,500+ :  ¥0.3068
3,000+ :  ¥0.2717
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5473 

阶梯数 价格
100: ¥0.5473
200: ¥0.3523
1,500: ¥0.3068
3,000: ¥0.2717
75,623 当前型号
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
24,457 对比
BSS138DW-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

2.2mm SOT-363

暂无价格 12,000 对比
BSS138DW-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

2.2mm SOT-363

¥0.4147 

阶梯数 价格
130: ¥0.4147
200: ¥0.2678
3,000: ¥0.237
5,071 对比
BSS138TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.6006 

阶梯数 价格
90: ¥0.6006
200: ¥0.4589
1,500: ¥0.3978
2,862 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.286
1,917 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售