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AON7534  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 AON7534 RQ3E180GNTB
唯样编号 A36-AON7534 A36-RQ3E180GNTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@20A,10V 4.3mΩ@18A,10V
上升时间 - 6.9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 23W 2W
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
正向跨导 - 最小值 - 17S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP HSMT-8
连续漏极电流Id 30A 18A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 10.2ns
典型接通延迟时间 - 16.5ns
库存与单价
库存 6,819 2,991
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.298
100+ :  ¥0.9966
1,250+ :  ¥0.8305
2,500+ :  ¥0.7557
5,000+ :  ¥0.6941
30+ :  ¥2.475
100+ :  ¥1.991
750+ :  ¥1.76
1,500+ :  ¥1.661
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.298 

阶梯数 价格
40: ¥1.298
100: ¥0.9966
1,250: ¥0.8305
2,500: ¥0.7557
5,000: ¥0.6941
6,819 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
750: ¥1.76
1,500: ¥1.661
2,991 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.749
1,000: ¥1.529
2,000: ¥1.441
2,000 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
104 对比
IRFHM8326TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN

暂无价格 0 对比

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