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AON7430  与  IRFHM8337TRPBF  区别

型号 AON7430 IRFHM8337TRPBF
唯样编号 A36-AON7430 A-IRFHM8337TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 12.4 mO 5.4 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@20A,10V 12.4mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 23W 2.8W(Ta),25W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
连续漏极电流Id 34A 12A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.1nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.1nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,982 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.419
100+ :  ¥1.0923
1,250+ :  ¥0.9097
2,500+ :  ¥0.8283
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0923
1,250: ¥0.9097
2,500: ¥0.8283
3,982 当前型号
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