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AON7422G  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 AON7422G RQ3E180GNTB
唯样编号 A36-AON7422G A36-RQ3E180GNTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 210 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@10V 4.3mΩ@18A,10V
ESD Diode Yes -
上升时间 - 6.9ns
Rds On(Max)@4.5V 7.2mΩ -
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
Qgd(nC) 12 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 17S
封装/外壳 DFN 3x3 EP HSMT-8
连续漏极电流Id 32A 18A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 2300 -
配置 - Single
下降时间 - 10.2ns
Schottky Diode No -
Trr(ns) 11 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 28W 2W
Qrr(nC) 15 -
VGS(th) 2.4 -
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 16.5ns
Coss(pF) 240 -
Qg*(nC) 20 -
库存与单价
库存 0 2,991
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.486
100+ :  ¥1.991
750+ :  ¥1.782
1,500+ :  ¥1.683
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7422G AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.486 

阶梯数 价格
30: ¥2.486
100: ¥1.991
750: ¥1.782
1,500: ¥1.683
2,991 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.474 

阶梯数 价格
40: ¥1.474
50: ¥1.133
2,000: ¥1.045
2,483 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON7426_101 AOS 功率MOSFET

18A(Ta),40A(Tc) N-Channel ±20V 5.5 mΩ @ 18A,10V 8-DFN-EP(3x3) 3.1W(Ta),29W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4588 AOS 功率MOSFET

20A(Ta) N-Channel ±20V 4.8 mΩ @ 20A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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