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AON6500  与  BSC011N03LSATMA1  区别

型号 AON6500 BSC011N03LSATMA1
唯样编号 A36-AON6500 A-BSC011N03LSATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),96W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.95mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 83W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4700pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 200A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.1 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 37A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6500 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 200A 83W 0.95mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
BSC011N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC011N03LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AON6400L AOS  数据手册 功率MOSFET

85A(Tc) N-Channel 8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC011N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC011N03LSATMA1_-55°C~150°C(TJ) 30V 100A 1.1mΩ@30A,10V 10V 96W N-Channel 8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
TPN1R603PL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 104W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 175°C 30 V 80A(Tc)

暂无价格 0 对比
AON6400 AOS 功率MOSFET

31A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±20V 1.4 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2.3W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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