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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | DFN 5x6 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | 200A | |
Pd-功率耗散(Max) | 83W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.95mΩ@20A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C |
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用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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![]() |
AON6500 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 200A 83W 0.95mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSC011N03LSATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC011N03LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AON6400L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
85A(Tc) N-Channel 8-DFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
![]() |
BSC011N03LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC011N03LSATMA1_-55°C~150°C(TJ) 30V 100A 1.1mΩ@30A,10V 10V 96W N-Channel 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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TPN1R603PL,L1Q | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 104W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 175°C 30 V 80A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AON6400 | AOS | 功率MOSFET |
31A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±20V 1.4 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2.3W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |