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AON6264E  与  IRFH7107TRPBF  区别

型号 AON6264E IRFH7107TRPBF
唯样编号 A36-AON6264E A-IRFH7107TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7107TRPBF, 75 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@20A,10V 8.5mΩ
ESD Diode Yes -
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 DFN 5x6 -
连续漏极电流Id 28A 75A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
长度 - 5.85mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.3V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3110pF
高度 - 1.17mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 20 ns
漏源极电压Vds 60V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 37.5W 104W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 9.1 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC
正向跨导 - 68S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6264E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 60V ±20V 28A 37.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.08W(Ta),19.2W(Tc) ±16V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 11A(Ta),34A(Tc)

暂无价格 0 对比
AON6248 AOS 功率MOSFET

17.5A(Ta),53A(Tc) N-Channel ±20V 11.5 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 7.4W(Ta),69.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.08W(Ta),19.2W(Tc) ±16V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 11A(Ta),34A(Tc)

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IRFH7107TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 75A 8.5mΩ 104W

暂无价格 0 对比
IRFH5207 Infineon  数据手册 功率MOSFET

9.6mΩ 75V PQFN 5 x 6 B N-Channel 20V 11A

暂无价格 0 对比

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