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AON6264E  与  DMT6009LFG-13  区别

型号 AON6264E DMT6009LFG-13
唯样编号 A36-AON6264E A-DMT6009LFG-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@20A,10V -
ESD Diode Yes -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 37.5W 2.08W(Ta),19.2W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1925 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.5 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 5x6 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 28A 11A(Ta),34A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6264E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 60V ±20V 28A 37.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.08W(Ta),19.2W(Tc) ±16V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 11A(Ta),34A(Tc)

暂无价格 0 对比
AON6248 AOS 功率MOSFET

17.5A(Ta),53A(Tc) N-Channel ±20V 11.5 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 7.4W(Ta),69.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.08W(Ta),19.2W(Tc) ±16V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 11A(Ta),34A(Tc)

暂无价格 0 对比
IRFH7107TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 75A 8.5mΩ 104W

暂无价格 0 对比
IRFH5207 Infineon  数据手册 功率MOSFET

9.6mΩ 75V PQFN 5 x 6 B N-Channel 20V 11A

暂无价格 0 对比

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