首页 > 商品目录 > > > > AON6242代替型号比较

AON6242  与  IRFH7085TRPBF  区别

型号 AON6242 IRFH7085TRPBF
唯样编号 A36-AON6242 A-IRFH7085TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 22 Ohms -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@10V 3.2mΩ@75A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 4.5mΩ -
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 13 -
封装/外壳 DFN 5x6 PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 85A 23A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 5305 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6460pF @ 25V
Trr(ns) 24.5 -
Td(off)(ns) 47 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 83W 156W(Tc)
Qrr(nC) 125 -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6460pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
Coss(pF) 540 -
Qg*(nC) 23 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6242 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06LS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC028N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NSATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
IRFH7085TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC028N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC031N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC031N06NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售