首页 > 商品目录 > > > > AON6242代替型号比较

AON6242  与  BSC028N06NSATMA1  区别

型号 AON6242 BSC028N06NSATMA1
唯样编号 A36-AON6242 A-BSC028N06NSATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 22 Ohms -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 4.5mΩ -
Qgd(nC) 3 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 30V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 13 -
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 85A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 37nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 5305 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.8 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 24.5 -
Td(off)(ns) 47 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 83W -
Qrr(nC) 125 -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 50uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23A(Ta),100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 540 -
Qg*(nC) 23 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6242 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06LS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC028N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NSATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
IRFH7085TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC028N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC031N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC031N06NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售