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AOD482  与  RSD050N10TL  区别

型号 AOD482 RSD050N10TL
唯样编号 A36-AOD482 A33-RSD050N10TL
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 50 -
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 37mΩ@10A,10V -
Rds On(Max)@4.5V 42mΩ -
Qgd(nC) 9 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 TO-252 CPT3
连续漏极电流Id 32A -
工作温度 -55℃~175℃ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1630 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 29 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 100W -
Qrr(nC) 200 -
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 18 -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 607 18,115
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥2.211
100+ :  ¥1.705
30+ :  ¥6.2382
50+ :  ¥3.5072
100+ :  ¥3.3251
500+ :  ¥3.1047
1,000+ :  ¥2.9993
2,000+ :  ¥2.664
4,000+ :  ¥2.6544
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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CPT3

¥6.2382 

阶梯数 价格
30: ¥6.2382
50: ¥3.5072
100: ¥3.3251
500: ¥3.1047
1,000: ¥2.9993
2,000: ¥2.664
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IRFR3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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