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AOD482  与  IRFR3410PBF  区别

型号 AOD482 IRFR3410PBF
唯样编号 A36-AOD482 A-IRFR3410PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 110 W 37 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 50 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 37mΩ@10A,10V 39mΩ@18A,10V
Rds On(Max)@4.5V 42mΩ -
Qgd(nC) 9 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 32A 31A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1630 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 29 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 100W 3W(Ta),110W(Tc)
Qrr(nC) 200 -
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 18 -
库存与单价
库存 607 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.211
100+ :  ¥1.705
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD482 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.211 

阶梯数 价格
30: ¥2.211
100: ¥1.705
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FDD3860 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252AA

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CPT3

¥6.2382 

阶梯数 价格
30: ¥6.2382
50: ¥3.5072
100: ¥3.3251
500: ¥3.1047
1,000: ¥2.9993
2,000: ¥2.664
4,000: ¥2.6544
18,115 对比
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490: ¥7.9179
1,000: ¥6.1379
1,250: ¥5.0311
2,500: ¥4.6157
0 对比
IRFR3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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