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AO4296  与  DMT10H010LSS-13  区别

型号 AO4296 DMT10H010LSS-13
唯样编号 A36-AO4296 A-DMT10H010LSS-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 12.5 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.3mΩ@10V 9.5mΩ@13A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 10.6mΩ -
Qgd(nC) 4.5 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC
连续漏极电流Id 13.5A 11.5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 3130 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 28 -
Td(off)(ns) 25 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 1.4W(Ta)
Qrr(nC) 130 -
VGS(th) 2.3 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 71nC @ 10V
Coss(pF) 245 -
Qg*(nC) 18.5 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4296 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 100V 20V 13.5A 3.1W 8.3mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A

¥4.037 

阶梯数 价格
20: ¥4.037
100: ¥3.366
1,250: ¥3.069
2,500: ¥2.838
2,910 对比
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A

暂无价格 0 对比
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A

暂无价格 0 对比

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