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功率MOSFET   SO-8 N-Channel 100V 20V 13.5A 3.1W 8.3mΩ@10V

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制造商编号 AO4296
制 造 商 AOS(美国万代)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-AO4296
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
SO-8 N-Channel 100V 20V 13.5A 3.1W 8.3mΩ@10V
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商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 SO-8
FET类型 N-Channel
ESD Diode No
Schottky Diode No
漏源极电压Vds 100V
栅极电压Vgs 20V
连续漏极电流Id 13.5A
Pd-功率耗散(Max) 3.1W
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.3mΩ@10V
Rds On(Max)@4.5V 10.6mΩ
VGS(th) 2.3
Ciss(pF) 3130
Coss(pF) 245
Crss(pF) 12.5
Qg*(nC) 18.5
Qgd(nC) 4.5
Td(on)(ns) 8
Td(off)(ns) 25
Trr(ns) 28
Qrr(nC) 130
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AO4296 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 100V 20V 13.5A 3.1W 8.3mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A

¥4.037 

阶梯数 价格
20: ¥4.037
100: ¥3.366
1,250: ¥3.069
2,500: ¥2.838
2,910 对比
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A

暂无价格 0 对比
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A

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