PDF资料下载 |
---|
参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
---|---|---|
商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SO-8 | |
FET类型 | N-Channel | |
ESD Diode | No | |
Schottky Diode | No | |
漏源极电压Vds | 100V | |
栅极电压Vgs | 20V | |
连续漏极电流Id | 13.5A | |
Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.3mΩ@10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 10.6mΩ | |
VGS(th) | 2.3 | |
Ciss(pF) | 3130 | |
Coss(pF) | 245 | |
Crss(pF) | 12.5 | |
Qg*(nC) | 18.5 | |
Qgd(nC) | 4.5 | |
Td(on)(ns) | 8 | |
Td(off)(ns) | 25 | |
Trr(ns) | 28 | |
Qrr(nC) | 130 |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。
A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质,可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴(如信和达、富昌电子、RS电子),我们对产品都进行了严格的资质审核,拥有原厂标签和相关票据以供查验。
A : 我们提供线下付款服务,方便公司的采购与财务对接,具体操作流程可在线咨询客服。
A : 下单前请仔细核对产品型号信息,如因自身原因造成的误订错订,唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时,请务必保留原包装和标签,并在两周内联系我们申请退货。
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
---|---|
AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AO4296 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V 20V 13.5A 3.1W 8.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
![]() |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A |
¥4.037
|
2,910 | 对比 | ||||||||||
![]() |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
![]() |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |