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AO3418  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 AO3418 IRLML6346TRPBF
唯样编号 A36-AO3418 A-IRLML6346TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.8A,10V 63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 3.8A 3.4A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 2 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 2 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

¥0.5863 

阶梯数 价格
90: ¥0.5863
200: ¥0.4485
1,500: ¥0.3887
3,000: ¥0.3458
171,286 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥1.397 

阶梯数 价格
40: ¥1.397
100: ¥1.111
750: ¥0.9944
1,500: ¥0.9372
3,000: ¥0.8888
5,668 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃

¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4259
3,000: ¥0.3978
4,363 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 64mΩ@3.6A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.2A(Ta)

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
100: ¥1.364
750: ¥1.221
1,500: ¥1.144
2,988 对比

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