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RXH125N03TB1  与  IRF7811AVPBF  区别

型号 RXH125N03TB1 IRF7811AVPBF
唯样编号 A33-RXH125N03TB1 A-IRF7811AVPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12.5A,10V 14mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-SOIC -
连续漏极电流Id 12.5A(Ta) 11.8A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4.5V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 10V 1801pF @ 10V
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 43 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 3W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 8.6 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.7nC @ 5V 26nC @ 5V
库存与单价
库存 48 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.6119
暂无价格
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