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RSQ020N03TR  与  DMN3051LDM-7  区别

型号 RSQ020N03TR DMN3051LDM-7
唯样编号 A33-RSQ020N03TR A36-DMN3051LDM-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 134mΩ@2A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 600mW(Ta) 900mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 38mΩ@6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 424 pF @ 5 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 8.6 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 SOT-26
连续漏极电流Id 2A(Ta) 4A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.1nC @ 5V -
库存与单价
库存 2,275 5,914
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
140+ :  ¥1.0829
500+ :  ¥1.0733
1,000+ :  ¥1.0733
2,000+ :  ¥1.0733
50+ :  ¥1.0208
200+ :  ¥0.704
1,500+ :  ¥0.6402
3,000+ :  ¥0.5984
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.0829 

阶梯数 价格
140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
1,000: ¥1.0733
2,000: ¥1.0733
2,275 当前型号
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

暂无价格 21,000 对比
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

暂无价格 12,000 对比
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

¥0.6787 

阶梯数 价格
80: ¥0.6787
200: ¥0.5538
1,500: ¥0.5018
3,000: ¥0.4706
9,262 对比
ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-6

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
750: ¥1.463
1,500: ¥1.375
3,000: ¥1.32
5,981 对比
DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

¥1.0208 

阶梯数 价格
50: ¥1.0208
200: ¥0.704
1,500: ¥0.6402
3,000: ¥0.5984
5,914 对比

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