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MOSFET   SOT-23-6

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制造商编号 ZXMN3A01E6TA
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-ZXMN3A01E6TA
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
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参数 参数值 操作
商品目录 MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V
栅极电压Vgs ±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 190 pF @ 25 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 3.9 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-6
工作温度 -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 2.4A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V
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库存 :  5,981

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥2.046
100+ ¥1.639
750+ ¥1.463
1,500+ ¥1.375

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥1.32
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:3,000 
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交期: 3天-15天
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  23+

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制造商编号 最近销量(PCS)
ZVP4525E6TA 1,696
DMN62D0UDW-13 503

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-6

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
750: ¥1.463
1,500: ¥1.375
3,000: ¥1.32
5,981 当前型号
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
4,000: ¥1.1308
6,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
3,000 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.0829 

阶梯数 价格
140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
1,000: ¥1.0733
2,000: ¥1.0733
2,275 对比
IRLMS1503TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro6™(TSOP-6)

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.87
750: ¥1.661
1,202 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
987 对比
+1

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