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RS6G120BGTB1  与  SI4122DY-T1-GE3  区别

型号 RS6G120BGTB1 SI4122DY-T1-GE3
唯样编号 A33-RS6G120BGTB1-0 A36-SI4122DY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE Si4122DY Series Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 6 W SMT Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id 120A 27.2A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V 4.5 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 104W 3W(Ta),6W(Tc)
Vgs(最大值) - ±25V
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 1,756 19,917
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
3+ :  ¥70.172
10+ :  ¥15.9356
50+ :  ¥11.0294
100+ :  ¥10.4161
500+ :  ¥10.0041
1,000+ :  ¥9.9274
6+ :  ¥9.152
100+ :  ¥7.876
1,250+ :  ¥7.513
2,500+ :  ¥7.15
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
1,756 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥9.152 

阶梯数 价格
6: ¥9.152
100: ¥7.876
1,250: ¥7.513
2,500: ¥7.15
19,917 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
16,193 对比
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,908 对比

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