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RS3E095BNGZETB  与  IRF8707G  区别

型号 RS3E095BNGZETB IRF8707G
唯样编号 A33-RS3E095BNGZETB-0 A-IRF8707G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.6mΩ@9.5A,10V 17.5mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 2.2nC
封装/外壳 8-SOIC SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 9.5A(Ta) 9.1A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
QG - 6.2nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.17
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥2.3861
100+ :  ¥2.2615
500+ :  ¥1.9069
1,000+ :  ¥1.8399
2,000+ :  ¥1.7057
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0 对比
IRF8707G Infineon  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比

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