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RQ3E180GNTB  与  AON7422E  区别

型号 RQ3E180GNTB AON7422E
唯样编号 A33-RQ3E180GNTB A-AON7422E
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 220
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V 4.3mΩ@10V
上升时间 6.9ns -
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 6mΩ
Qg-栅极电荷 22.4nC -
Qgd(nC) - 6.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 17S -
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 18A 40A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 2445
下降时间 10.2ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 17.5
Td(off)(ns) - 41.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 36W
Qrr(nC) - 31
VGS(th) - 1.85
典型关闭延迟时间 56.8ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 16.5ns -
Coss(pF) - 390
Qg*(nC) - 19
库存与单价
库存 2,775 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.5681
100+ :  ¥2.2902
500+ :  ¥2.2902
1,000+ :  ¥2.2807
2,000+ :  ¥2.2711
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 当前型号
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¥1.2969 

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40: ¥1.2969
100: ¥0.9999
1,250: ¥0.8316
2,500: ¥0.7554
5,000: ¥0.693
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阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
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