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RQ3E180AJTB  与  AON6576  区别

型号 RQ3E180AJTB AON6576
唯样编号 A33-RQ3E180AJTB A-AON6576
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@18A,4.5V 4.7mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),30W(Tc) 26W
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 18A(Ta),30A(Tc) 32A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 11mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4290pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 2,234 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.3244
50+ :  ¥3.5551
100+ :  ¥3.3731
500+ :  ¥3.1431
1,000+ :  ¥3.0377
2,000+ :  ¥2.8269
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥3.5551
100: ¥3.3731
500: ¥3.1431
1,000: ¥3.0377
2,000: ¥2.8269
2,234 当前型号
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1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
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5,000: ¥0.98
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阶梯数 价格
30: ¥1.892
100: ¥1.452
1,000: ¥1.21
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60: ¥0.9383
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¥5.0021 

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30: ¥5.0021
50: ¥3.2868
100: ¥2.7215
340 对比
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DFN5x6

暂无价格 0 对比

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