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RQ3E180AJTB  与  DMN3008SFG-7  区别

型号 RQ3E180AJTB DMN3008SFG-7
唯样编号 A33-RQ3E180AJTB A36-DMN3008SFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@18A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),30W(Tc) 900mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3690 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 86 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 18A(Ta),30A(Tc) 17.6A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 11mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4290pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 2,234 2,000
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥6.3244
50+ :  ¥3.5551
100+ :  ¥3.3731
500+ :  ¥3.1431
1,000+ :  ¥3.0377
2,000+ :  ¥2.8269
30+ :  ¥2.288
100+ :  ¥1.749
1,000+ :  ¥1.529
2,000+ :  ¥1.441
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥3.5551
100: ¥3.3731
500: ¥3.1431
1,000: ¥3.0377
2,000: ¥2.8269
2,234 当前型号
AON7538 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
2,500: ¥1.2405
5,000: ¥0.98
4,969 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.749
1,000: ¥1.529
2,000: ¥1.441
2,000 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
RQ3E180AJTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥5.0021 

阶梯数 价格
30: ¥5.0021
50: ¥3.2868
100: ¥2.7215
340 对比
IRFH8324 Infineon  数据手册 通用MOSFET

PQFN5x6E/G

暂无价格 0 对比

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