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RQ3E150BNTB  与  AON7422G  区别

型号 RQ3E150BNTB AON7422G
唯样编号 A33-RQ3E150BNTB A36-AON7422G
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 210
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@15A,10V 4.6mΩ@10V
ESD Diode - Yes
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V - 7.2mΩ
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 28W
Qrr(nC) - 15
VGS(th) - 2.4
Qgd(nC) - 12
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 15A(Ta) 32A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 2300
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 15V -
Schottky Diode - No
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
Trr(ns) - 11
Coss(pF) - 240
Qg*(nC) - 20
库存与单价
库存 2,860 0
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥2.3382
100+ :  ¥1.9069
500+ :  ¥1.9069
1,000+ :  ¥1.9069
2,000+ :  ¥1.8974
暂无价格
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¥2.3382 

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70: ¥2.3382
100: ¥1.9069
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.9069
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1,250: ¥0.8305
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