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RQ3E150BNTB  与  AON6576  区别

型号 RQ3E150BNTB AON6576
唯样编号 A33-RQ3E150BNTB A36-AON6576
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@15A,10V 4.7mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 26W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 15A(Ta) 32A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,810 1,670
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥4.9637
50+ :  ¥3.2676
100+ :  ¥2.6927
500+ :  ¥2.319
1,000+ :  ¥2.2423
2,000+ :  ¥2.1848
60+ :  ¥0.9383
200+ :  ¥0.6479
1,500+ :  ¥0.5874
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥4.9637 

阶梯数 价格
40: ¥4.9637
50: ¥3.2676
100: ¥2.6927
500: ¥2.319
1,000: ¥2.2423
2,000: ¥2.1848
2,810 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥1.441 

阶梯数 价格
40: ¥1.441
100: ¥1.111
1,250: ¥0.924
2,500: ¥0.8393
5,000: ¥0.77
18,786 对比
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
100: ¥0.9493
1,250: ¥0.792
2,500: ¥0.7194
5,000: ¥0.66
5,637 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON7422G AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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