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RGS80TSX2DGC11  与  RGS80TSX2DHRC11  区别

型号 RGS80TSX2DGC11 RGS80TSX2DHRC11
唯样编号 A33-RGS80TSX2DGC11-0 A33-RGS80TSX2DHRC11-1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET IGBT
描述 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 120 A 120A
功率 555 W -
栅极电荷 104 nC 104nC
功率-最大值 - 555W
输入类型 标准 标准
IGBT类型 沟槽型场截止 沟槽型场截止
25°C时Td(开/关)值 49ns/199ns 49ns/199ns
反向恢复时间Trr 198 ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 80 A 80A
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,40A 2.1V @ 15V,40A
电压-集射极击穿(最大值) 1200 V 1200V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 3mJ(开),3.1mJ(关) 3mJ(开),3.1mJ(关)
测试条件 600V,40A,10 欧姆,15V 600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) - 198ns
库存与单价
库存 450 450
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
2+ :  ¥99.2162
10+ :  ¥54.6964
50+ :  ¥49.1386
100+ :  ¥45.4206
2+ :  ¥118.8506
10+ :  ¥67.5656
50+ :  ¥61.1549
100+ :  ¥56.8812
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RGS80TSX2DGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥99.2162 

阶梯数 价格
2: ¥99.2162
10: ¥54.6964
50: ¥49.1386
100: ¥45.4206
450 当前型号
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-247-3

¥15.4991 

阶梯数 价格
450: ¥15.4991
2,250 对比
RGS80TSX2GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥91.1191 

阶梯数 价格
2: ¥91.1191
10: ¥46.3884
50: ¥40.8019
100: ¥37.0744
450 对比
RGS80TSX2GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥91.1191 

阶梯数 价格
2: ¥91.1191
10: ¥46.3884
50: ¥40.8019
100: ¥37.0744
450 对比
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-247-3

¥118.8506 

阶梯数 价格
2: ¥118.8506
10: ¥67.5656
50: ¥61.1549
100: ¥56.8812
450 对比
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-247-3

¥118.8506 

阶梯数 价格
2: ¥118.8506
10: ¥67.5656
50: ¥61.1549
100: ¥56.8812
228 对比

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