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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | IGBT | |
| 25°C时Td(开/关)值 | 49ns/199ns | |
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | |
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,40A | |
| 功率-最大值 | 555W | |
| 反向恢复时间(trr) | 198ns | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
| 开关能量 | 3mJ(开),3.1mJ(关) | |
| 栅极电荷 | 104nC | |
| 测试条件 | 600V,40A,10 欧姆,15V | |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V | |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A | |
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 120A | |
| 输入类型 | 标准 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：2 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RGS80TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT |
TO-247-3 |
￥118.8506
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228 | 当前型号 | ||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥91.1191
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450 | 对比 | ||||||||||
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RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥99.2162
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377 | 对比 | ||||||||||
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RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 277 | 对比 | ||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||||
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RGS80TSX2HRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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