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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | IGBT | |
25°C时Td(开/关)值 | 49ns/199ns | |
IGBT类型 | 沟槽型场截止 | |
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,40A | |
功率-最大值 | 555W | |
反向恢复时间(trr) | 198ns | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
开关能量 | 3mJ(开),3.1mJ(关) | |
栅极电荷 | 104nC | |
测试条件 | 600V,40A,10 欧姆,15V | |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V | |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A | |
电流-集电极脉冲(Icm) | 120A | |
输入类型 | 标准 |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3周-4周 |
起订量:2 | 倍数:1 |
生产年份 : 2023 年
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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RGS80TSX2DHRC11 | 2,250 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RGS80TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT |
TO-247-3 |
¥118.8506
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228 | 当前型号 | |||||||||||
RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
¥99.2162
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450 | 对比 | |||||||||||
RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
¥91.1191
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450 | 对比 | |||||||||||
RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
¥91.1191
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450 | 对比 | |||||||||||
RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
¥99.2162
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377 | 对比 | |||||||||||
RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 277 | 对比 |