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RF4E080GNTR  与  SSM6K514NU,LF  区别

型号 RF4E080GNTR SSM6K514NU,LF
唯样编号 A33-RF4E080GNTR-0 A-SSM6K514NU,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ -
上升时间 3.6ns -
Qg-栅极电荷 5.8nC -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1110 pF @ 20 V
Vgs(th) - 2.4V @ 100uA
栅极电压Vgs 2.5V -
正向跨导 - 最小值 5S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7.5 nC @ 4.5 V
封装/外壳 DFN2020-8 6-UDFNB(2x2)
连续漏极电流Id 8A 12A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C
配置 Single -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11.6 毫欧 @ 4A,10V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RF4E080GN -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 2,647 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥1.7057
100+ :  ¥1.6195
500+ :  ¥1.3128
1,000+ :  ¥1.3128
2,000+ :  ¥1.3033
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.3128
1,000: ¥1.3128
2,000: ¥1.3033
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100: ¥1.232
750: ¥1.0296
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阶梯数 价格
570: ¥0.3677
1,000: ¥0.285
1,500: ¥0.2336
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阶梯数 价格
1,260: ¥1.3784
2,500: ¥1.1298
5,000: ¥1.0365
0 对比

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