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功率MOSFET   DFN2020-8

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 RF4E080GNTR
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RF4E080GNTR-0
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:8A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:17.6mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 8A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 5.8nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 2.5V
上升时间 3.6ns
下降时间 2.4ns
典型关闭延迟时间 17.3ns
典型接通延迟时间 6.9ns
封装/外壳 DFN2020-8
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 5S
系列 RF4E080GN
通道数量 1Channel
配置 Single
工作温度 -55°C~150°C
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库存 :  2,647

价格梯度 单价(含税)
90+ ¥1.7057
100+ ¥1.6195
500+ ¥1.3128
1,000+ ¥1.3128
2,000+ ¥1.3033
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:90 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 546,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
AO3400A 36,010
NCEP039N10D 28,800

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.3128
1,000: ¥1.3128
2,000: ¥1.3033
2,647 当前型号
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

U-DFN3030-8

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
750: ¥1.0296
1,500: ¥0.935
3,000: ¥0.858
5,500 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 肖特基(SBD)二极管

PMEG4010CEA_SOD-323

¥0.3677 

阶梯数 价格
570: ¥0.3677
1,000: ¥0.285
1,500: ¥0.2336
3,000: ¥0.2067
2 对比
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¥1.3784 

阶梯数 价格
1,260: ¥1.3784
2,500: ¥1.1298
5,000: ¥1.0365
0 对比
+1

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