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R6030MNX  与  SPA20N65C3  区别

型号 R6030MNX SPA20N65C3
唯样编号 A33-R6030MNX A-SPA20N65C3
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@15A,10V 190mΩ
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) 34.5W
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 30A(Tc) 20.7A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 4.5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2180pF @ 25V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V -
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 205 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥33.1168
10+ :  ¥27.1566
50+ :  ¥21.503
100+ :  ¥20.4297
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥33.1168 

阶梯数 价格
5: ¥33.1168
10: ¥27.1566
50: ¥21.503
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