首页 > 商品目录 > > > > R6015KNJTL代替型号比较

R6015KNJTL  与  IPB60R280P6  区别

型号 R6015KNJTL IPB60R280P6
唯样编号 A33-R6015KNJTL A-IPB60R280P6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@6.5A,10V 280mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 184W(Tc) -
Rth - 1.2K/W
栅极电压Vgs ±20V 3.5V,4.5V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK (TO-263)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id 15A(Tc) 13.8A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
Ptot max - 104.0W
QG - 25.5nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37.5nC @ 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.74
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥11.978
50+ :  ¥11.7481
100+ :  ¥11.5277
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6015KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 184W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥11.978 

阶梯数 价格
20: ¥11.978
50: ¥11.7481
100: ¥11.5277
100 当前型号
STB21NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB60R280P6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R280P6_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB60R299CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R299CPATMA1_600V 11A 270mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
STB21NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB60R280P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R280P6ATMA1_280mΩ 600V 13.8A D2PAK (TO-263) N-Channel -55°C~150°C 3.5V,4.5V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消