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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 15A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 37.5nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1050pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 184W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 290mΩ@6.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥11.978 总价：￥239.56 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产年份 : 2017 年
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6015KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 184W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥11.978
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100 | 当前型号 | ||||||||
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STB21NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPB60R280P6ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB60R280P6_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPB60R299CP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB60R299CPATMA1_600V 11A 270mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STB21NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPB60R280P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB60R280P6ATMA1_280mΩ 600V 13.8A D2PAK (TO-263) N-Channel -55°C~150°C 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
